2012 Infrarot-LEDs

• Gehäusetyp: SMD (2012 Größe, 2.0 mm × 1.2 mm × 0.8 mm)
• Wellenlänge Bereich: 710–940 nm
• Verfügbare Spitzenwellenlängen: 710 nm, 730 nm, 750 nm, 780 nm, 850 nm, 880 nm, 940 nm
• Rated Optisch Leistung: 0.06 W (Typisch @ 20 mA)
• Durchlassspannung (V_F): 1.2 V – 2.0 V (typisch @ 20 mA)
• Durchlassstrom: 20 mA (kontinuierlich), 50 mA (pulse)
• Strahlungsstärke (I_e): 0.2 – 3.0 mW/sr (Ranking-specific, je nach Wellenlänge und bin)
• Abstrahlwinkel: 120°
• Substrat: Copper alloy Leadframe mit optimized thermal dissipation
• Linse Appearance: Water Clear Silicone
• Chip Material: AlGaAs / GaAs (Wellenlänge-abhängig)
• Chip Brands: Epistar, Sanan, Osram, oder equivalent (selected by Leistung grade)
• Chip Größen: 8×10 mil, 9×11 mil (Konfiguration-specific)
• Betriebstemperatur: −20°C bis +85°C
• Lagertemperatur: −40°C bis +100°C
• Absolute Grenzwerte:
  • Sperrschichttemperatur (T_j): +125°C
  • ESD Withstand Spannung: ≥2 kV (HBM)
• Konformität: RoHS, REACH, IEC/EN 62471 (Photobiological Safety)

Hinweis: Diese Bauteile sind optimized für Standard silicon Fotodiode responsivity in die near-infrared spectrum. Die 850 nm variant bietet a slight visible rot glow geeignet für alignment, while die 940 nm variant ist fully covert für security applications. Ensure proper Strom limiting resistors sind verwendet, um beibehalten Durchlassstrom innerhalb die 20 mA kontinuierlich rating.