2835 Far-Infrarot LEDs

Technische Spezifikationen

2835 Far‑Infrarot LED (1000–1600 nm)

  • Gehäusetyp: SMD (2835 Größe, 2.8 mm × 3.5 mm)
  • Wellenlänge Bereich: 1000–1600 nm
  • Verfügbare Spitzenwellenlängen:
    • 1050 nm, 1200 nm, 1300 nm, 1450 nm, 1550 nm
  • Rated Optisch Leistung: 0.2 W – 0.5 W
  • Durchlassspannung (VF): 1.8 V – 2.2 V (typisch @ Nennstrom)
  • Durchlassstrom: 60 mA – 150 mA (kontinuierlich)
  • Strahlungsstärke: Ranking-specific; full Leistung table verfügbar für 1050–2060 nm Serie auf Anfrage
  • Abstrahlwinkel: 120°
  • Substrat: Copper-based Leadframe mit hohe Wärmeleitfähigkeit
  • Linse Appearance: Clear.
  • Chip Material: GaAs, AlGaAs, InGaAs (Wellenlänge-abhängig)
  • Chip Brands: CREE, OSRAM, Toyoda Gosei, Epistar, Sanan (selected by Leistung grade)
  • Chip Größen: 10×30 mil, 14×28 mil (Konfiguration-specific)
  • Betriebstemperatur: −40°C bis +85°C
  • Lagertemperatur: −40°C bis +100°C
  • Absolute Grenzwerte:
    • Sperrschichttemperatur (Tj): +150°C
    • ESD Withstand Spannung: ≥2 kV (HBM)
  • Konformität: RoHS, REACH, IEC/EN 62471 (Photobiological Safety)
Hinweis: For Wellenlängen >1400 nm, Standard silicon Fotodioden have erheblich reduced responsivity. InGaAs oder extended-InGaAs detectors sind recommended für optimal signal reception in 1550 nm applications.
Diese Website verwendet Cookies, um Ihnen ein besseres Surferlebnis zu bieten. Mit der Nutzung dieser Website stimmen Sie unserer Verwendung von Cookies zu.
Privacy Policy | Terms of Service | Cookie-Richtlinie