3mm DIP Infrarot LEDs

Technische Spezifikationen

3mm DIP Infrarot LEDs (710–940 nm)

Gehäusetyp: DIP 3mm Round (Ø3.0 mm, Through-Hole)
Wellenlänge Bereich: 710–940 nm
Verfügbare Spitzenwellenlängen:
710 nm, 730 nm, 750 nm, 780 nm, 850 nm, 880 nm, 940 nm
Strahlungsstärke (Ie): 5 – 13 mW/sr (@ 20 mA, Ranking-specific)
Durchlassspannung (VF): 1.2 V – 1.6 V (typisch @ 20 mA)
Durchlassstrom: 30 mA (kontinuierlich), 150 mA (pulsed)
Abstrahlwinkel: 30° (Narrow Beam)
Substrat: Silver-plated Iron Lead Frame
Linse Appearance: Water Clear Epoxy
Chip Material: Quaternary AlGaAs / GaAs
Chip Brands: Epistar, Sanan, OptoTech, Vishay (selected by Leistung grade)
Lead Länge Options: 18/16 mm (Short) oder 28/26 mm (Long)
Betriebstemperatur: −40°C bis +85°C
Lagertemperatur: −40°C bis +100°C
Absolute Grenzwerte:
Sperrschichttemperatur (Tj): +100°C
ESD Withstand Spannung: ≥2 kV (HBM)
Konformität: RoHS, REACH, IEC/EN 62471 (Photobiological Safety)

Hinweis: For Wellenlängen >850 nm (z. B. 940 nm), die emission ist invisible bis die human eye, was es ideal für covert security applications. Standard silicon Fotodioden exhibit peak responsivity in die 850–950 nm Bereich, und gewährleistet optimal signal reception für these LEDs ohne erfordern expensive InGaAs detectors.

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