3535 Far-Infrarot LEDs

Technische Spezifikationen

3535 Far-Infrarot LEDs (1000–2060 nm)

  • Gehäusetyp: SMD (3535 Größe, 3.5 mm × 3.5 mm)
  • Wellenlänge Bereich: 1000–2060 nm
  • Verfügbare Spitzenwellenlängen:
    • 1050 nm, 1200 nm, 1300 nm, 1400 nm, 1500 nm, 1600 nm, 1750 nm, 1950 nm, 2060 nm
  • Chip Material: GaAs / AlGaAs / InGaAs (Wellenlänge-abhängig)
  • Chip Source: CREE, OSRAM, Toyoda Gosei, Epistar, Sanan (selected by Leistung grade)
  • Chip Größen: 12×35 mil, 14×28 mil, 16×30 mil (Konfiguration-specific)
  • Durchlassspannung (VF): 1.4 V – 2.4 V (typisch @ Nennstrom)
  • Betriebsstrom: 300 mA – 700 mA (kontinuierlich, je nach rank)
  • Rated Optisch Leistung: 1 W – 4 W (varies by Wellenlänge und thermal design)
  • Strahlungsstärke: Ranking-specific; full Leistung table verfügbar auf Anfrage
  • Abstrahlwinkel: 120°
  • Substrat: High-thermal-conductivity Keramik (AlN oder Al2O3)
  • Linse Appearance: Clear, colorless Silikon
  • Betriebstemperatur: −40°C bis +85°C
  • Lagertemperatur: −40°C bis +100°C
  • Absolute Grenzwerte:
    • Sperrschichttemperatur (Tj): +150°C
    • ESD Withstand Spannung: ≥2 kV (HBM)
  • Konformität: RoHS 3, REACH, IEC/EN 62471 (Photobiological Safety – Risikogruppe 1)
Hinweis: For Wellenlängen >1400 nm, Standard silicon Fotodioden have niedrig responsivity.
InGaAs oder PbS detectors sind recommended für optimal signal reception.
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