High-Power Infrarot LEDs

Technische Spezifikationen

High-Power Infrarot (IR) LEDs (730–940 nm)

  • Gehäusetyp: SMD  High-Power-LEDs
  • Wellenlänge Bereich: 730–940 nm
  • Verfügbare Spitzenwellenlängen:
    • 730 nm, 810 nm, 850 nm, 875 nm, 940 nm
  • Chip Material: GaAs / AlGaAs (Wellenlänge-abhängig)
  • Chip Source: Epistar, Sanan, OSRAM, CREE(selected by Leistung grade)
  • Chip Größen: 30×30 mil, 35×35 mil, 40×40 mil (Konfiguration-specific)
  • Durchlassspannung (VF): 1.2 V – 1.5 V (typisch @ Nennstrom)
  • Betriebsstrom: 350 mA – 1000 mA (kontinuierlich, je nach rank und thermal design)
  • Rated Optisch Leistung: 1 W – 5 W (varies by Wellenlänge und array Konfiguration)
  • Strahlungsstärke: Ranking-specific; full Leistung table verfügbar auf Anfrage
  • Abstrahlwinkel: 60°, 90°, oder 120° (lens-abhängig)
  • Substrat: High thermal conductivity copper
  • Linse Appearance: Clear, colorless Silikon (IR-transparent) oder mit optional lens optics
  • Betriebstemperatur: −40°C bis +85°C
  • Lagertemperatur: −40°C bis +100°C
  • Absolute Grenzwerte:
    • Sperrschichttemperatur (Tj): +150°C
    • ESD Withstand Spannung: ≥2 kV (HBM)
  • Konformität: RoHS 3, REACH, IEC/EN 62471 (Photobiological Safety – Risikogruppe 1 oder 2 je nach power)
Hinweis: For 850 nm: emits a faint rot glow visible bis die human eye, optimal für Standard silicon CCD/CMOS cameras.
Bei 940 nm: völlig verdeckt (kein sichtbares Leuchten), ideal für diskrete Überwachung und Nachtsichtanwendungen.
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